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參數資料
| 型號： | IS41C16256-25TI |
| 英文描述： | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| 中文描述： | 256K × 16（4兆位）的動態與江戶頁面模式內存 |
| 文件頁數： | 15/20頁 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | IS41C16256-25TI |
IS41C16256
IS41LV16256
Integrated Circuit Solution Inc.
DR001-0E 01/25/2002
15
EDO-PAGE-MODE READ-WRITE CYCLE
(LATE WRITE and READ-MODIFY WRITE Cycles)
Note:
1. t
PC
in this diagram is for LATE write cycles only, t
PC
can be measured from falling edge of
CAS
to falling edge of
CAS
, or from
rising edge of
CAS
to rising edge of
CAS
. Both measurements must meet the t
PC
specifications.
t
RASP
t
RP
ADDRESS
UCAS/LCAS
RAS
Row
Row
t
CRP
t
RCD
t
CSH
t
CP
t
CAH
t
CAS,
t
CLCH
t
RAL
t
RSH
t
CP
t
CP
t
RAH
t
RAD
t
AR
t
ASR
Column
Column
t
CAH
t
CAH
Column
t
ASC
t
ASC
t
CAS,
t
CLCH
t
CAS,
t
CLCH
OE
I/O
WE
t
ASC
t
RWD
t
RCS
t
CWL
t
WP
t
AWD
t
CWD
t
DH
t
DS
t
CAC
t
CLZ
t
AWD
t
CWD
t
CWL
t
WP
t
AWD
t
CWD
t
CWL
t
WP
t
RWL
Open
Open
D
IN
t
OD
D
OUT
t
OE
t
OE
t
OE
t
OD
t
OEH
t
OD
t
DH
t
DS
t
CPA
t
AA
t
CAC
t
CLZ
D
IN
D
OUT
t
DH
t
DS
t
CAC
t
CLZ
D
IN
D
OUT
t
CPA
t
AA
t
RAC
t
AA
t
PC
/ t
PRWC
(1)
Undefined
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PDF描述 |
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參數描述 |
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