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參數資料
型號: IS41C16256-35K
英文描述: 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
中文描述: 256K × 16(4兆位)的動態與江戶頁面模式內存
文件頁數: 18/20頁
文件大小: 215K
代理商: IS41C16256-35K
IS41C16256
IS41LV16256
18
Integrated Circuit Solution Inc.
DR001-0E 01/25/2002
HIDDEN REFRESH CYCLE
(1)
(
WE
= HIGH;
OE
= LOW)
CBR
REFRESH CYCLE
(Addresses;
WE
,
OE
= DON'T CARE)
Notes:
1. A Hidden Refresh may also be performed after a Write Cycle. In this case,
WE
= LOW and
OE
= HIGH.
2. t
OFF
is referenced from rising edge of
RAS
or
CAS
, whichever occurs last.
t
RAS
t
RAS
t
RP
t
RP
I/O
UCAS/LCAS
RAS
Open
t
CP
t
RPC
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
CSR
t
CHR
t
RAS
t
RAS
t
RP
UCAS/LCAS
RAS
t
CRP
t
RCD
t
RSH
t
CHR
t
AR
t
ASC
t
RAD
t
RAH
ADDRESS
Row
Column
t
ASR
t
RAL
t
CAH
I/O
Open
Open
Valid Data
t
AA
t
CAC
t
RAC
t
CLZ
t
OFF
(2)
OE
t
OE
t
ORD
t
OD
Undefined
Don’t Care
相關PDF資料
PDF描述
IS41C16256-35KI 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16256-35T 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16256-35TI 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16256-50K 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16256-50KI 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
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