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參數資料
| 型號： | IS41C16256-60K |
| 英文描述： | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| 中文描述： | 256K × 16（4兆位）的動態與江戶頁面模式內存 |
| 文件頁數： | 14/20頁 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | IS41C16256-60K |
IS41C16256
IS41LV16256
14
Integrated Circuit Solution Inc.
DR001-0E 01/25/2002
EDO-PAGE-MODE EARLY-WRITE CYCLE
t
RASP
t
RP
ADDRESS
UCAS/LCAS
RAS
Row
Row
t
CAS,
t
CLCH
t
CRP
t
RCD
t
CSH
t
CP
t
CAS,
t
CLCH
t
CAH
t
CAS,
t
CLCH
t
RAL
t
RSH
t
CP
t
CP
t
PC
t
ASR
t
RAH
t
RAD
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AR
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ACH
Column
Column
t
ACH
t
ACH
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CAH
t
CAH
Column
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ASC
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OE
I/O
WE
Valid Data
t
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WCS
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WCH
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CWL
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WP
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WCS
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WCH
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CWL
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WP
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DS
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DH
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DHR
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WCR
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WCS
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WCH
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CWL
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WP
Valid Data
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DS
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DH
Valid Data
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DS
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RWL
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DH
Don’t Care
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| IS41C16256-60T | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41C16256-60TI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41C16256C | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Mb DRAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41C16256C-35TLI | 功能描述:動態隨機存取存儲器 4M, 5V, EDO 動態隨機存取存儲器 35ns, 40 pin TSOP II RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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