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參數資料
| 型號： | IS41C8512-60TI |
| 英文描述： | 512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| 中文描述： | 為512k × 8（4兆位）的動態與江戶頁面模式內存 |
| 文件頁數： | 1/18頁 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | IS41C8512-60TI |
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VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
NC
WE
RAS
A9
A0
A1
A2
A3
VCC
GND
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
CAS
OE
NC
A8
A7
A6
A5
A4
GND
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS41LV8512 | 512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41LV8512-35K | 512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41LV8512-35KI | 512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS42S16400 | 2(1)M words x 8(16) bits x 4 banks (64-mbit) synchronous dynamic ram |
| IS42S16400L | 2(1)M words x 8(16) bits x 4 banks (64-mbit) synchronous dynamic ram |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IS41DK | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:Inductive Sensor |
| IS41K | 制造商:IDEC CORPORATION 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC NPN NO |
| IS41KS | 制造商:IDEC CORPORATION 功能描述:958601820 SENS.IND. 10-30VDC NPN NO |
| IS41L | 制造商:IDEC CORPORATION 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC NPN NO |
| IS41LV16100 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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