- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360984 > IS42LS81600A-7TI 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS42LS81600A-7TI |
| 英文描述： | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 16Meg × 8，8Meg x16 |
| 文件頁數(shù)： | 13/66頁 |
| 文件大小： | 556K |
| 代理商： | IS42LS81600A-7TI |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁當(dāng)前第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
ADVANCED INFORMATION
Rev. 00A
06/01/02
13
ISSI
IS42S81600A, IS42S16800A, IS42S32400A
IS42LS81600A, IS42LS16800A, IS42LS32400A
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
H
RAS
X
H
H
H
H
L
L
L
L
L
X
H
H
H
H
L
L
L
L
X
CAS
X
H
H
L
L
H
H
L
L
L
X
H
H
L
L
H
H
L
L
X
WE
X
H
L
H
L
H
L
H
L
L
X
H
L
H
L
H
L
H
L
X
Address
X
X
X
BA, CA, A10
A, CA, A10
BA, RA
A, A10
X
OC, BA1=L
OC, BA1=H
X
X
X
BA, CA, A10
BA, CA, A10
BA, RA
BA, A10
X
OC, BA
X
Command
DESL
NOP
BST
READ/READA
WRIT/ WRITA
ACT
PRE/PALL
REF
MRS
EMRS
DESL
NOP
BST
READ/READA
WRIT/ WRITA
ACT
PRE/PALL
REF
MRS/EMRS
DESL
Action
Nop
Nop
Nop
ILLEGAL
(2)
ILLEGAL
(2)
Row activating
Nop
Auto refresh
Mode register set
Extended mode register set
Nop
Nop
Nop
Begin read
(3)
Begin write
(3)
ILLEGAL
(2)
Precharge/Precharge all banks
(
ILLEGAL
ILLEGAL
Continue burst to end to
Row active
Continue burst to end Row
Row active
Burst stop Row active
Terminate burst,
begin new read
(5)
Terminate burst,
begin write
(5, 6)
ILLEGAL
(2)
Terminate burst
Precharging
ILLEGAL
ILLEGAL
Continue burst to end
Write recovering
Continue burst to end
Write recovering
Burst stop Row active
Terminate burst, start read :
Determine AP
(5, 6)
Terminate burst, new write :
Determine AP
(5)
ILLEGAL
(2)
Terminate burst Precharging
(7)
ILLEGAL
ILLEGAL
Idle
Row Active
Read
L
H
H
H
X
NOP
L
L
H
H
H
L
L
H
X
BA, CA, A10
BST
READ/READA
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
L
L
L
L
H
H
H
L
BA, RA
BA, A10
ACT
PRE/PALL
L
L
H
L
L
X
L
L
X
H
L
X
X
OC, BA
X
REF
MRS/EMRS
DESL
Write
L
H
H
H
X
NOP
L
L
H
H
H
L
L
H
X
BA, CA, A10
BST
READ/READA
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
L
L
H
L
H
L
BA,
BA, A10
X
OC, BA
RA ACT
PRE/PALL
REF
MRS/EMRS
FUNCTIONAL TRUTH TABLE
Note: H=V
IH
, L=V
IL
x= V
IH
or V
IL
, V = Valid Data, BA= Bank Address, CA+Column Address, RA=Row Address, OC= Op-Code
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S16800A | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-7B | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-7BI | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-7T | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-7TI | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42R16100E-7TL | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS42R16320D-7BL | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS42R16320D-7BLI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 32Mx16 2.5V 54-Pin TFBGA |
| IS42RM16160D-7BL | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M (16Mx16) 143MHz Mobile S動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器, 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42RM16160D-7BLI | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M (16Mx16) 143MHz Mobile S動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器, 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。