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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S16100C1-6TL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-50 |
| 文件頁數(shù)： | 1/79頁 |
| 文件大小： | 755K |
| 代理商： | IS42S16100C1-6TL |
當(dāng)前第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁
IS42S16100C1
512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT)
SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. A
07/20/04
1
Copyright 2004 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time
without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to
obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.
July 2004
FEATURES
Clock frequency: 200, 166, 143 MHz
Fully synchronous; all signals referenced to a
positive clock edge
Two banks can be operated simultaneously and
independently
Dual internal bank controlled by A11
(bank select)
Single 3.3V power supply
2.5V V
DD
option available
LVTTL interface
Programmable burst length
– (1, 2, 4, 8, full page)
Programmable burst sequence:
Sequential/Interleave
4096 refresh cycles every 64 ms
Random column address every clock cycle
Programmable
CAS
latency (2, 3 clocks)
Burst read/write and burst read/single write
operations capability
Burst termination by burst stop and
precharge command
Byte controlled by LDQM and UDQM
Industrial temperature up to 143 MHz
Package 400-mil 50-pin TSOP II
Lead-free package option
DESCRIPTION
ISSI
’s 16Mb Synchronous DRAM IS42S16100C1 is
organized as a 524,288-word x 16-bit x 2-bank for
improved performance. The synchronous DRAMs
achieve high-speed data transfer using pipeline
architecture. All inputs and outputs signals refer to the
rising edge of the clock input.
PIN CONFIGURATIONS
50-Pin TSOP (Type II)
PIN DESCRIPTIONS
A0-A11
Address Input
A0-A10
Row Address Input
A11
Bank Select Address
A0-A7
Column Address Input
DQ0 to DQ15
Data DQ
CLK
System Clock Input
CKE
Clock Enable
CS
Chip Select
RAS
Row Address Strobe Command
CAS
Column Address Strobe Command
WE
Write Enable
LDQM
Lower Bye, Input/Output Mask
UDQM
Upper Bye, Input/Output Mask
VDD
Power
GND
Ground
VDDQ
Power Supply for DQ Pin
GNDQ
Ground for DQ Pin
NC
No Connection
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
VDD
DQ0
DQ1
GNDQ
DQ2
DQ3
VDDQ
DQ4
DQ5
GNDQ
DQ6
DQ7
VDDQ
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
GND
DQ15
IDQ14
GNDQ
DQ13
DQ12
VDDQ
DQ11
DQ10
GNDQ
DQ9
DQ8
VDDQ
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S16100C1-7T | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S16100C1-6TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1Mx16 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16100C1-6T-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1Mx16 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16100C1-7B | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16100C1-7BI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16100C1-7BI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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