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參數資料
型號: IS61C3216-12K
英文描述: 32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
中文描述: 32K的× 16 HIGH-SPEED的CMOS靜態RAM
文件頁數: 7/8頁
文件大小: 432K
代理商: IS61C3216-12K
IS61C3216
Integrated Circuit Solution Inc.
7
SR008-0B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Notes:
1. WRITE is an internally generated signal asserted during an overlap of the LOW states on the
CE
and
WE
inputs and at least
one of the
LB
and
UB
inputs being in the LOW state.
2. WRITE = (
CE
)
[
(
LB
) = (
UB
)
]
(
WE
).
AC WAVEFORMS
WRITE CYCLE NO. 1 (
WE
Controlled)
(1,2)
UNDEFINED
UNDEFINED
t
WC
t
SCE
t
PWB
t
AW
t
HA
HIGH-Z
HIGH-Z
t
PWE
t
HD
t
SA
t
HZWE
ADDRESS
CE
LB, UB
WE
WRITE
(1)
D
OUT
D
IN
t
LZWE
t
SD
相關PDF資料
PDF描述
IS61C3216-12KI 32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C3216-12T 32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C3216-12TI 32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C3216-15K 32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C3216-15KI 32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
相關代理商/技術參數
參數描述
IS61C3216-12KI 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
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