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參數資料
型號: IS61LV25616-12B
英文描述: 256 X 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
中文描述: 256 × 16高速異步的CMOS靜態RAM為3.3V電源
文件頁數: 1/10頁
文件大小: 461K
代理商: IS61LV25616-12B
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A0-A17
CE
OE
WE
UB
LB
256K x 16
MEMORY ARRAY
DECODER
COLUMN I/O
CONTROL
CIRCUIT
GND
VCC
I/O
DATA
CIRCUIT
I/O0-I/O7
Lower Byte
I/O8-I/O15
Upper Byte
相關PDF資料
PDF描述
IS61LV25616-12BI 256 X 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV25616-12K 256 X 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV25616-12KI 256 X 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV25616-12T 256 X 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV25616-15K 256 X 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
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參數描述
IS61LV25616-12BI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV25616-12K 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
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