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參數資料
型號: IS61LV25616-8TI
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
中文描述: 256K X 16 STANDARD SRAM, 8 ns, PDSO44
封裝: TSOP2-44
文件頁數: 1/10頁
文件大小: 461K
代理商: IS61LV25616-8TI
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A0-A17
CE
OE
WE
UB
LB
256K x 16
MEMORY ARRAY
DECODER
COLUMN I/O
CONTROL
CIRCUIT
GND
VCC
I/O
DATA
CIRCUIT
I/O0-I/O7
Lower Byte
I/O8-I/O15
Upper Byte
相關PDF資料
PDF描述
IS61LV25616-10B 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV25616-10BI 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV25616-10K 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV25616-10KI 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV25616-10LQ 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
相關代理商/技術參數
參數描述
IS61LV25616AL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV25616AL-10B 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV25616AL-10BI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4Mb 256Kx16 10ns Async 靜態隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LV25616AL-10BI-TR 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4Mb 256Kx16 10ns Async 靜態隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LV25616AL-10BLI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4Mb 256Kx16 10ns Async 靜態隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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