- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360990 > IS61SP6464-6TQI SYNC SRAM|64KX64|CMOS|QFP|128PIN|PLASTIC PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IS61SP6464-6TQI |
| 英文描述： | SYNC SRAM|64KX64|CMOS|QFP|128PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 同步靜態(tài)存儲器| 64KX64 |的CMOS | QFP封裝| 128PIN |塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 7/16頁 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | IS61SP6464-6TQI |
IS61SF25616
IS61SF25618
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. A
04/17/01
7
OPERATING RANGE
Range
Commercial
Ambient Temperature
0
°
C to +70
°
C
V
CC
3.3V
+10%,
–
5%
3.3V
+10%,
–
5%
Industrial
–
40
°
C to +85
°
C
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Unit
V
OH
Output HIGH Voltage
I
OH
=
–
4.0 mA
2.4
—
V
V
OL
Output LOW Voltage
I
OL
= 8.0 mA
—
0.4
V
V
IH
Input HIGH Voltage
2.0
V
CC
+ 0.3
V
V
IL
Input LOW Voltage
–
0.3
0.8
V
I
LI
Input Leakage Current
GND
≤
V
IN
≤
V
CCQ
(2)
Com.
Ind.
–
2
–
5
2
5
μA
I
LO
Output Leakage Current
GND
≤
V
OUT
≤
V
CCQ
,
OE
= V
IH
Com.
–
2
–
5
2
5
μA
Ind.
POWER SUPPLY CHARACTERISTICS
(Over Operating Range)
8
8.5
Max.
10
12
Symbol
Parameter
Test Conditions
Max.
Max.
Max.
Unit
I
CC
AC Operating
Supply Current
Device Selected,
All Inputs = V
IL
or V
IH
OE
= V
IH
, Vcc = Max.
Cycle Time
≥
t
KC
min.
Com.
Ind.
180
—
170
180
160
170
150
160
mA
I
SB
Standby Current
Device Deselected,
V
CC
= Max.,
All Inputs = V
IH
or V
IL
CLK Cycle Time
≥
t
KC
min.
Com.
Ind.
50
—
50
60
50
60
50
60
mA
I
ZZ
Power-down
Mode Current
ZZ = V
CCQ
Clock Running
All Inputs
≤
GND + 0.2V
or
≥
Vcc
–
0.2V
Com.
Ind.
10
—
10
15
10
15
10
15
mA
Notes:
1. The MODE pin has an internal pullup. This pin may be a No Connect, tied to GND, or tied to V
CC
.
2. The MODE pin should be tied to Vcc or GND. It exhibits ±10 μA maximum leakage current when tied to
≤
GND + 0.2V
or
≥
Vcc
–
0.2V.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61SP6464-7PQ | x64 Fast Synchronous SRAM |
| IS61SP6464-7PQI | x64 Fast Synchronous SRAM |
| IS61SP6464-7TQ | x64 Fast Synchronous SRAM |
| IS61SP6464-7TQI | x64 Fast Synchronous SRAM |
| IS61SP6464-8PQ | x64 Fast Synchronous SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS61VF102418A-6.5B3 | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61VF102418A-6.5B3I | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61VF102418A-6.5B3I-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61VF102418A-6.5B3-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61VF102418A-6.5TQ | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。