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參數資料
| 型號： | IXBOD1-42 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 二極管&整流器 |
| 英文描述： | 4200 V, SYMMETRICAL BOD |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 32K |
| 代理商： | IXBOD1-42 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXP425 | Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; No. of Contacts:37; Connector Shell Size:28; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Right Angle Plug; Body Style:Right Angle |
| IXTH10N100D | 10 A, 1000 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| J01003B0029 | PANEL MOUNT, CABLE TERMINATED, FEMALE, BNC CONNECTOR, CRIMP, JACK |
| J01070G1710 | CABLE TERMINATED, MALE, RF CONNECTOR, CRIMP, PLUG |
| J01070G1713 | CABLE TERMINATED, MALE, RF CONNECTOR, CRIMP, PLUG |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXBOD1-42R | 功能描述:硅對稱二端開關元件 1 Amps 4200V RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態電流: 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:25 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態電壓:5 V 關閉狀態電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| IXBOD2-50R | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Breakover Diodes |
| IXBP5N160G | 功能描述:IGBT 晶體管 5 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXBR42N170 | 功能描述:MOSFET 57Amps 1700V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXBT10N170 | 功能描述:IGBT 晶體管 10 Amps 1700V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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