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參數資料
型號: IXDN55N120D1
廠商: IXYS
文件頁數: 2/4頁
文件大小: 0K
描述: IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B
標準包裝: 10
IGBT 類型: NPT
配置: 單一
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): 1200V
Vge, Ic時的最大Vce(開): 2.8V @ 15V,55A
電流 - 集電極 (Ic)(最大): 100A
電流 - 集電極截止(最大): 3.8mA
Vce 時的輸入電容 (Cies): 3.3nF @ 25V
功率 - 最大: 450W
輸入: 標準
NTC 熱敏電阻:
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: SOT-227-4,miniBLOC
供應商設備封裝: SOT-227B
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