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參數(shù)資料
型號(hào): IXFH11N80
廠商: IXYS
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 30
系列: HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 11A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 950 毫歐 @ 500mA,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4200pF @ 25V
功率 - 最大: 300W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-247AD
包裝: 管件
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