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參數資料
| 型號： | IXFH12N100Q |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247AD |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 1KV交五（巴西）直| 12A條（丁）|采用TO - 247AD |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 249K |
| 代理商： | IXFH12N100Q |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH12N90Q | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IXFH15N100 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-247AD |
| IXFT20N60Q | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-268 |
| IXFH20N60Q | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247AD |
| IXFH20N60Q | N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓600V,導通電阻0.35Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXFH12N120 | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1200V 1.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFH12N120P | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1200V 1.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFH12N50 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH12N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFH12N80P | 功能描述:MOSFET DIODE Id12 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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