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參數資料
| 型號： | IXFH30N50Q |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導通電阻0.16Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET) |
| 中文描述： | 30 A, 500 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | IXFH30N50Q |
2001 IXYS All rights reserved
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
8
16
24
32
40
V
GS
- Volts
2
3
4
5
6
I
D
0
10
20
30
40
50
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
R
D
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
I
D
= 16A
V
DS
- Volts
0
4
8
12
16
20
I
D
0
10
20
30
40
50
V
DS
- Volts
0
4
8
12
16
20
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
5V
T
J
= 125
O
C
V
GS
= 10V
T
J
= 25
O
C
T
J
= 125
o
C
6V
5V
6V
V
GS
=10V
9V
8V
7V
V
GS
= 9V
8V
7V
I
D
= 32A
T
J
= 25
o
C
I
D
- Amperes
0
10
20
30
40
50
60
R
D
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
Tj=125
0
C
Tj=25
0
C
V
GS
= 10V
4V
IXF_32N50Q
IXF_30N50Q
Figure 3. R
DS(on)
normalized to 15A/25
O
C vs. I
D
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
Figure 6. Admittance Curves
Figure 1. Output Characteristics at 25
O
C
Figure 2. Output Characteristics at 125
O
C
Figure 4. R
DS(on)
normalized to 15A/25
O
C vs. T
J
IXFH 30N50Q
IXFT 30N50Q
IXFH 32N50Q
IXFT 32N50Q
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT52N30 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 52A I(D) | TO-268 |
| IXFH52N30 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 52A I(D) | TO-247AD |
| IXFT58N20Q | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 58A I(D) | TO-268 |
| IXFH58N20Q | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 58A I(D) | TO-247AD |
| IXFH5N100 | HIPERFET Power MOSFTETs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXFH30N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFH30N50S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247VAR |
| IXFH30N60P | 功能描述:MOSFET 600V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFH30N60Q | 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFH320N10T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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