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參數資料
| 型號： | IXFH52N30 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 52A I(D) | TO-247AD |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 300V五（巴西）直| 52A條（丁）|采用TO - 247AD |
| 文件頁數： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 161K |
| 代理商： | IXFH52N30 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT58N20Q | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 58A I(D) | TO-268 |
| IXFH58N20Q | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 58A I(D) | TO-247AD |
| IXFH5N100 | HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFT70N15 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-268 |
| IXFH70N15 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-247AD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXFH52N30P | 功能描述:MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFH52N30Q | 功能描述:MOSFET 300V 52A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFH52N50P2 | 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFH58N20 | 功能描述:MOSFET 200V 58A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFH58N20 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
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