型號: | IXFH58N20Q |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 58A I(D) | TO-247AD |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五(巴西)直| 58A條(丁)|采用TO - 247AD |
文件頁數: | 2/2頁 |
文件大小: | 322K |
代理商: | IXFH58N20Q |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
IXFH5N100 | HIPERFET Power MOSFTETs |
IXFT70N15 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-268 |
IXFH70N15 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-247AD |
IXFT80N10 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-268 |
IXFH80N10 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-247AD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
IXFH58N20S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 58A I(D) | TO-247VAR |
IXFH5N100 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
IXFH5N100P | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Polar Power MOSFET HiPerFET |
IXFH60N20 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 200V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFH60N20F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |