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參數資料
| 型號： | IXFH68N20 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導通電阻35mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET) |
| 中文描述： | 68 A, 200 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 133K |
| 代理商： | IXFH68N20 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| IXFH6N100Q | 功能描述:MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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