- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361010 > IXFK180N085 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 85V V(BR)DSS | 180A I(D) | TO-264AA PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IXFK180N085 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 85V V(BR)DSS | 180A I(D) | TO-264AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 85V五（巴西）直| 180A（丁）|對264AA |
| 文件頁數： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | IXFK180N085 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK180N10 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 180A I(D) | TO-264AA |
| IXGA20N60B | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-263AA |
| IXGP20N60B | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-220AB |
| IXGA24N60A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-236AA |
| IXGA7N60B | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXFK180N10 | 功能描述:MOSFET 100V 180A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFK180N10_09 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiperFET Power MOSFETs |
| IXFK180N15P | 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFK180N25T | 功能描述:MOSFET 180A 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFK185N10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 185A I(D) | TO-264AA |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。