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參數(shù)資料
型號: IXFN100N25
廠商: IXYS
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 10
系列: HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 250V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 100A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 27 毫歐 @ 500mA,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 9100pF @ 25V
功率 - 最大: 600W
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: SOT-227-4,miniBLOC
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-227B
包裝: 管件
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