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參數(shù)資料
型號: IXFN160N30T
廠商: IXYS
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 300V 130A SOT227
產(chǎn)品目錄繪圖: SOT-227, SOT-227B miniBLOC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 10
系列: GigaMOS™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 300V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 130A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 19 毫歐 @ 60A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 335nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 28000pF @ 25V
功率 - 最大: 900W
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: SOT-227-4,miniBLOC
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-227B
包裝: 管件
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