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參數(shù)資料
型號(hào): IXFN82N60Q3
廠商: IXYS
文件頁(yè)數(shù): 5/5頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 10
系列: HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 66A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 75 毫歐 @ 41A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 6.5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 275nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 13500pF @ 25V
功率 - 最大: 960W
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: SOT-227-4,miniBLOC
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-227B
包裝: 管件
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