| 型號(hào)： | IXFN82N60Q3 |
| 廠商： | IXYS |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/5頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 600V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 66A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫歐 @ 41A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 8mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 275nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 13500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 960W |
| 安裝類型： | 底座安裝 |
| 封裝/外殼： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | SOT-227B |
| 包裝： | 管件 |