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參數資料
型號: IXFT26N60Q
廠商: IXYS
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 26A TO-268
標準包裝: 30
系列: HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 26A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 250 毫歐 @ 13A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 5100pF @ 25V
功率 - 最大: 360W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA
供應商設備封裝: TO-268
包裝: 管件
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