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參數資料
型號: IXFT70N15
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-268
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 150伏五(巴西)直| 70A條(丁)|至268
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文件大小: 135K
代理商: IXFT70N15
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PDF描述
IXFH70N15 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-247AD
IXFT80N10 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-268
IXFH80N10 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-247AD
IXFX180N085 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 85V V(BR)DSS | 180A I(D) | TO-247VAR
IXFX180N10 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 180A I(D) | TO-247VAR
相關代理商/技術參數
參數描述
IXFT70N20Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT70N30Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT74N20 功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT75N10Q 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPER FET POWER MOSFETS Q CLASS
IXFT7N90Q 功能描述:MOSFET 7 Amps 900V 1.5W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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