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參數資料
型號: IXGE75N60Z
英文描述: TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 75A I(C)
中文描述: 晶體管| IGBT功率模塊|獨立| 600V的五(巴西)國際消費電子展| 75A條一(c)
文件頁數: 2/6頁
文件大小: 561K
代理商: IXGE75N60Z
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PDF描述
IXGE75N80Z TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 800V V(BR)CES | 75A I(C)
IXGE75N90Z TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 900V V(BR)CES | 75A I(C)
IXTE10C40X4U TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 400V V(BR)DSS | 10A I(D)
IXTE10C50X4U TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 10A I(D)
IXTE10N60X4 TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 650V V(BR)DSS | 10A I(D)
相關代理商/技術參數
參數描述
IXGE75N80Z 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 800V V(BR)CES | 75A I(C)
IXGE75N90Z 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 900V V(BR)CES | 75A I(C)
IXGF20N250 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IGBT 2500V 23A 100W I4-PAK
IXGF20N300 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IGBT 3000V 22A 100W I4-PAK
IXGF25N250 功能描述:IGBT 晶體管 I4-Pak RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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