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參數資料
| 型號： | IXGE75N90Z |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 900V V(BR)CES | 75A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|獨立| 900V五（巴西）國際消費電子展| 75A條一（c） |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 561K |
| 代理商： | IXGE75N90Z |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTE10C40X4U | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) |
| IXTE10C50X4U | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) |
| IXTE10N60X4 | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 650V V(BR)DSS | 10A I(D) |
| IXTE10N60X4U | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 650V V(BR)DSS | 10A I(D) |
| IXTE12N50X4 | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXGF20N250 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IGBT 2500V 23A 100W I4-PAK |
| IXGF20N300 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IGBT 3000V 22A 100W I4-PAK |
| IXGF25N250 | 功能描述:IGBT 晶體管 I4-Pak RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGF25N300 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 3KV 27A 3-Pin ISOPLUS I4-PAC 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IGBT 3000V 27A 114W I4-PAK |
| IXGF30N400 | 功能描述:IGBT 晶體管 I4-Pak RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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