- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361010 > IXGH10N50U1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 10A I(C) | TO-247 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IXGH10N50U1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 10A I(C) | TO-247 |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 500V五（巴西）國際消費電子展| 10A條一（c）|至247 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | IXGH10N50U1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGH12N100A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247AD |
| IXGH12N100AS | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD |
| IXGH12N100AU1S | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD |
| IXGH12N100S | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD |
| IXGH12N100U1S | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXGH10N60 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
| IXGH10N60A | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IXGH Series 600 Vce 20 A 100 ns t(on) IGBT w/ Diode - TO-247AD |
| IXGH10N60AU1 | 功能描述:IGBT 晶體管 G-series A,B,C RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH10N60U1 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode Combi Packs |
| IXGH120N30B3 | 功能描述:IGBT 晶體管 120 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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