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參數資料
型號: IXGH12N90C
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247AD
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 900V五(巴西)國際消費電子展| 24A條一(c)|采用TO - 247AD
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代理商: IXGH12N90C
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PDF描述
IXGH20N90A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247
IXGH25N80A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247
IXGH25N90A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247
IXGH30N50 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247
IXGH30N50A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247
相關代理商/技術參數
參數描述
IXGH12N90C_03 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT Lightspeed Series
IXGH14N170A 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT
IXGH15N120B 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH15N120B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH15N120BD1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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