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參數資料
型號: IXGH17N100
廠商: IXYS CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
中文描述: 34 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝: TO-247AD, 3 PIN
文件頁數: 1/2頁
文件大?。?/td> 64K
代理商: IXGH17N100
1996 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
V
GES
V
GEM
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
(RBSOA)
T
J
= 25
°
C to 150
°
C
T
J
= 25
°
C to 150
°
C; R
GE
= 1 M
Continuous
Transient
1000
1000
V
V
±
20
±
30
V
V
T
C
= 25
°
C
T
C
= 90
°
C
T
C
= 25
°
C, 1 ms
V
= 15 V, T
= 125
°
C, R
= 82
Clamped inductive load, L = 300
μ
H
34
17
68
A
A
A
I
= 34
@ 0.8 V
CES
A
P
C
T
J
T
JM
T
stg
M
d
Weight
T
C
= 25
°
C
150
W
-55 ... +150
°
C
°
C
°
C
150
-55 ... +150
Mounting torque (M3)
1.13/10 Nm/lb.in.
TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
°
C
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
BV
CES
V
GE(th)
I
C
I
C
= 3 mA, V
GE
= 0 V
= 250
μ
A, V
CE
= V
GE
1000
2.5
V
V
5
I
CES
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
250
μ
A
mA
1
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±
20 V
±
100
nA
V
CE(sat)
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
17N100
17N100A
3.5
4.0
V
V
TO-247 AD (IXGH)
V
CES
1000 V
I
C25
34 A
34 A
V
CE(sat)
3.5 V
4.0 V
Low V
CE(sat)
IGBT
High speed IGBT
IXGH/IXGM
17
N100
IXGH/IXGM
17
N100A 1000 V
G
CE
TO-204 AE (IXGM)
C
G = Gate,
E = Emitter,
C = Collector,
TAB = Collector
Features
l
International standard packages
l
2nd generation HDMOS
TM
process
l
Low V
- for low on-state conduction losses
l
High current handling capability
l
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
l
Voltage rating guaranteed at high
temperature (125
°
C)
Applications
l
AC motor speed control
l
DC servo and robot drives
l
DC choppers
l
Uninterruptible power supplies (UPS)
l
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Advantages
l
Easy to mount with 1 screw (TO-247)
(isolated mounting screw hole)
l
High power density
91515E (3/96)
相關PDF資料
PDF描述
IXGH17N100A Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGM17N100 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGM17N100A Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH20N100 IGBT for AC Motor Speed Control(VCES為1000V,VCE(sat)為3.0V的絕緣柵雙極晶體管)
IXGH20N120 IGBT
相關代理商/技術參數
參數描述
IXGH17N100A 功能描述:IGBT 晶體管 17 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH17N100AU1 功能描述:IGBT 晶體管 17 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH17N100U1 功能描述:IGBT 晶體管 17 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH20N100 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1000V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH20N100A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247
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