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參數資料
型號: IXGH20N30S
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 300V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247SMD
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 300V五(巴西)國際消費電子展| 40A條一(c)|至247SMD
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代理商: IXGH20N30S
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PDF描述
IXGH20N50U1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247
IXGH20N60AU1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247AD
IXGH20N60BS TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247SMD
IXGH20N60BU1S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247VAR
IXGH20N60U1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247AD
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參數描述
IXGH20N50 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247
IXGH20N50A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247
IXGH20N50U1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247
IXGH20N60 功能描述:IGBT 晶體管 LOW V IGBT 600V 40A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH20N60A 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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