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參數資料
型號: IXGH20N50A
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 500V五(巴西)國際消費電子展| 40A條一(c)|至247
文件頁數: 7/7頁
文件大小: 681K
代理商: IXGH20N50A
相關PDF資料
PDF描述
IXGH20N80A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247
IXGM20N80A SPACER
IXGM20N90A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE
IXGM25N80A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-204AE
IXGM25N90A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-204AE
相關代理商/技術參數
參數描述
IXGH20N50U1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247
IXGH20N60 功能描述:IGBT 晶體管 LOW V IGBT 600V 40A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH20N60A 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH20N60AU1 功能描述:MOSFET 40 Amps 600V 3.0 V Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXGH20N60B 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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