型號: | IXGH22N50C |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 44A I(C) | TO-247AD |
中文描述: | 晶體管| IGBT的|正陳| 500V五(巴西)國際消費電子展|第44A一(c)|采用TO - 247AD |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大小: | 119K |
代理商: | IXGH22N50C |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXGH24N50BS | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247SMD |
IXGH24N50BU1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247AD |
IXGH24N50BU1S | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247SMD |
IXGH24N60BS | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247SMD |
IXGH24N60BU1S | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247SMD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXGH240N30PB | 功能描述:IGBT 晶體管 240 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGH24N120C3 | 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGH24N120C3H1 | 功能描述:IGBT 晶體管 High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGH24N120IH | 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGH24N170 | 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 1700V 3.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |