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參數資料
| 型號： | IXGH25N100U1 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High speed IGBT with Diode |
| 中文描述： | 50 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247AD, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 315K |
| 代理商： | IXGH25N100U1 |
1996 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
V
GES
V
GEM
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
(RBSOA)
T
J
= 25
°
C to 150
°
C
T
J
= 25
°
C to 150
°
C; R
GE
= 1 M
Continuous
Transient
1000
1000
V
V
±
20
±
30
V
V
T
C
= 25
°
C
T
C
= 90
°
C
T
C
= 25
°
C, 1 ms
V
= 15 V, T
= 125
°
C, R
= 33
Clamped inductive load, L = 100
μ
H
50
25
100
A
A
A
I
= 50
@ 0.8 V
CES
A
P
C
T
J
T
JM
T
stg
M
d
Weight
T
C
= 25
°
C
200
W
-55 ... +150
°
C
°
C
°
C
150
-55 ... +150
Mounting torque (M3)
1.13/10 Nm/lb.in.
TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
°
C
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
BV
CES
V
GE(th)
I
C
I
C
= 4.5 mA, V
GE
= 0 V
= 500
μ
A, V
CE
= V
GE
1000
2.5
V
V
5.5
I
CES
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
500
μ
A
mA
8
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±
20 V
±
100
nA
V
CE(sat)
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
25N100U1
25N100AU1
3.5
4.0
V
V
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
1000 V
1000 V
50 A
50 A
3.5 V
4.0 V
Preliminary data
Low V
CE(sat)
High speed IGBT
with Diode
95587 (9/96)
IXGH25N100U1
IXGH25N100AU1
G
CE
TO-247 AD (IXGH)
G = Gate
E = Emitter
C = Collector
TAB = Collector
Features
l
International standard package
JEDEC TO-247 AD
l
IGBT and anti-parallel FRED in one
package
l
2nd generation HDMOS
TM
process
l
l
Low V
- for minimum on-state conduction
losses
l
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
l
Fast Recovery Epitaxial Diode
(FRED)
- soft recovery with low I
RM
Applications
l
AC motor speed control
l
DC servo and robot drives
l
DC choppers
l
Uninterruptible power supplies (UPS)
l
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Advantages
l
Saves space (two devices in one
package)
l
Easy to mount (isolated mounting
screw hole)
l
l
Reduces assembly time and cost
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGH25N120 | Low VCE(sat) High speed IGBT |
| IXGH25N120A | Low VCE(sat) High speed IGBT |
| IXGH25N100 | Low VCE(sat), High speed IGBT |
| IXGH25N100A | Low VCE(sat), High speed IGBT |
| IXGH28N120B | High Voltage IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXGH25N120 | 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 1200V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH25N120A | 功能描述:IGBT 晶體管 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH25N160 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 1600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH25N250 | 功能描述:IGBT 60A 2500V TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IXGH25N80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
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