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參數資料
型號: IXGH25N80
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 800V的五(巴西)國際消費電子展| 50A條一(c)|至247
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代理商: IXGH25N80
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PDF描述
IXGH25N90 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247
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IXGM20N50A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE
IXGM20N80 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE
相關代理商/技術參數
參數描述
IXGH25N80A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247
IXGH25N90 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247
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IXGH28N120B 功能描述:IGBT 晶體管 28 Amps 1200V 3.50 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH28N120BD1 功能描述:IGBT 晶體管 28 Amps 1200V 3.50 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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