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參數資料
| 型號： | IXGH30N30S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 250V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 250V五（巴西）國際消費電子展|第60A條（c）的|至247SMD |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 257K |
| 代理商： | IXGH30N30S |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGH30N60AU1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD |
| IXGH30N60BS | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD |
| IXGH30N60BU1S | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD |
| IXGH30N60U1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD |
| IXGH32N60BS | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXGH30N50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
| IXGH30N50A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
| IXGH30N60 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
| IXGH30N60A | 功能描述:MOSFET 60 Amps 600V 2.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXGH30N60AU1 | 制造商:IXYS 功能描述:Bulk |
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