- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361012 > IXGH9090 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247AD PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IXGH9090 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247AD |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 48A條一（c）|采用TO - 247AD |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | IXGH9090 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGK50N60BD1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-264AA |
| IXGX50N60BD1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247VAR |
| IXGK50N60BD1 | HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.3V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）) |
| IXGM10N50 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE |
| IXGM10N60 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXGH90N60B3 | 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 90A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGJ40N60C2D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGJ50N60B | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT |
| IXGK100N170 | 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 100A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGK120N120A3 | 功能描述:IGBT 晶體管 120 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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