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參數資料
| 型號： | IXGM40N50A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | TO-3 |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 500V五（巴西）國際消費電子展|至3 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 157K |
| 代理商： | IXGM40N50A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGH50N50B | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247AD |
| IXGH50N50BS | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247SMD |
| IXGH50N60BS | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247SMD |
| IXGH60N50 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247 |
| IXGH60N50A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXGM40N60 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
| IXGM40N60A | 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600V 3V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGN100N120 | 功能描述:IGBT 晶體管 G-series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGN100N160A | 功能描述:IGBT 晶體管 100 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGN100N170 | 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 95A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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