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參數資料
型號: IXGP10N90A
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 900V五(巴西)國際消費電子展|甲一(c)| TO - 220AB現有
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代理商: IXGP10N90A
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PDF描述
IXGH22N50C TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 44A I(C) | TO-247AD
IXGH24N50BS TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247SMD
IXGH24N50BU1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247AD
IXGH24N50BU1S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247SMD
IXGH24N60BS TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247SMD
相關代理商/技術參數
參數描述
IXGP12N100 功能描述:IGBT 晶體管 24Amps 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP12N100A 功能描述:IGBT 晶體管 24Amps 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP12N100AU1 功能描述:IGBT 晶體管 24Amps 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP12N100U1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT - Combi Pack
IXGP12N120A2 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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