- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361012 > IXGP15N120C TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-220AB PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IXGP15N120C |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展| 30A條一（c）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 381K |
| 代理商： | IXGP15N120C |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXLD426MJA | Dual MOSFET Driver |
| IXLD427CPA | Dual MOSFET Driver |
| IXLD427IJA | Dual MOSFET Driver |
| IXLD427MJA | Dual MOSFET Driver |
| IXLD428CPA | Dual MOSFET Driver |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXGP16N60B2 | 功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGP16N60B2D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGP16N60C2 | 功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 3.0 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGP16N60C2D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 3.0 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGP20N100 | 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1000V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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