欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: IXGP20N60B
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-220AB
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五(巴西)國際消費電子展| 40A條一(c)| TO - 220AB現有
文件頁數: 2/4頁
文件大小: 210K
代理商: IXGP20N60B
相關PDF資料
PDF描述
IXGA24N60A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-236AA
IXGA7N60B TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AA
IXGP7N60B TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-220AB
IXGA7N60C TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AA
IXGP7N60C TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-220AB
相關代理商/技術參數
參數描述
IXGP24N120C3 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP24N60C 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES "B"MID-FREQ SINGLE IGBT 600V 48A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP24N60C4 功能描述:IGBT 模塊 High Gain IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGP24N60C4D1 功能描述:IGBT 模塊 High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGP28N120B 功能描述:IGBT 晶體管 28 Amps 1200 V 3.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
主站蜘蛛池模板: 苏州市| 中牟县| 河池市| 兴城市| 锡林郭勒盟| 天全县| 根河市| 辽宁省| 高雄市| 桦川县| 顺义区| 泽州县| 梁山县| 海原县| 隆回县| 正定县| 昌都县| 灵石县| 莱芜市| 什邡市| 额济纳旗| 通渭县| 司法| 房产| 铜鼓县| 金阳县| 黄平县| 那曲县| 遵化市| 万全县| 济源市| 永福县| 山东省| 安远县| 宁化县| 平陆县| 平南县| 五常市| 南川市| 景德镇市| 和政县|