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參數資料
| 型號： | IXGP20N60B |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 40A條一（c）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 210K |
| 代理商： | IXGP20N60B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGA24N60A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-236AA |
| IXGA7N60B | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AA |
| IXGP7N60B | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-220AB |
| IXGA7N60C | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AA |
| IXGP7N60C | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXGP24N120C3 | 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGP24N60C | 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES "B"MID-FREQ SINGLE IGBT 600V 48A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGP24N60C4 | 功能描述:IGBT 模塊 High Gain IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| IXGP24N60C4D1 | 功能描述:IGBT 模塊 High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| IXGP28N120B | 功能描述:IGBT 晶體管 28 Amps 1200 V 3.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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