型號(hào): | IXGR39N60B |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類(lèi): | IGBT 晶體管 |
英文描述: | HiPerFAST IGBT(VCES為600V,VCE(sat)為1.8V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管) |
中文描述: | 66 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
封裝: | ISOPLUS247, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 1/2頁(yè) |
文件大小: | 92K |
代理商: | IXGR39N60B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXKC13N80C | CoolMOS Power MOSFET ISOPLUS220 |
IXSA15N120B | S Series - Improved SCSOA Capability |
IXSP15N120B | S Series - Improved SCSOA Capability |
IXTA2N80 | N-Channel Enhancement Mode High Voltage MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導(dǎo)通電阻6.2Ω的N溝道增強(qiáng)型高電壓MOSFET) |
IXTA36N30P | PolarHT Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXGR39N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 66 Amps 600V 1.8 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGR40N120A2D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGR40N120B2D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGR40N60B | 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 600V 2.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGR40N60B2 | 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |