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參數資料
| 型號： | IXGT20N120 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | IGBT |
| 中文描述： | 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268 |
| 封裝： | TO-268, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | IXGT20N120 |
2002 IXYS All rights reserved
Symbol
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Test Conditions
Characteristic Values
Typ.
Min.
Max.
BV
CES
V
GE(th)
I
C
I
C
= 1 mA, V
GE
= 0 V
= 250
μ
A, V
CE
= V
GE
1200
2.5
V
V
5.0
I
CES
V
CE
= V
CES
V
GE
= 0 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
250
μ
A
mA
1
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±
20 V
±
100
nA
V
CE(sat)
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
2.0
2.5
V
IGBT
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
T
J
T
J
= 25
°
C to 150
°
C
= 25
°
C to 150
°
C; R
GE
= 1 M
1200
1200
V
V
V
GES
V
GEM
Continuous
Transient
±
20
±
30
V
V
I
C25
I
C90
I
CM
T
C
T
C
T
C
= 25
°
C
= 90
°
C
= 25
°
C, 1 ms
40
20
80
A
A
A
SSOA
(RBSOA)
V
GE
= 15 V, T
VJ
= 125
°
C, R
G
= 47
Clamped inductive load
I
CM
= 40
@ 0.8 V
CES
A
P
C
T
C
= 25
°
C
150
W
T
J
T
JM
T
stg
-55 ... +150
°
C
°
C
°
C
150
-55 ... +150
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
°
C
Maximum tab temperature for soldering
260
°
C
M
d
Mounting torque (TO-247)
1.13/10 Nm/lb.in.
Weight
TO-247
TO-268
6
5
g
g
DS98966 (11/02)
Features
International standard packages
JEDEC TO-247 and TO-268
High current handling capability
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Capacitor discharge
Advantages
Easy to mount with one screw
Reduces assembly time and cost
High power density
TO-268 (IXGT)
TO-247 (IXGH)
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
t
fi(typ)
= 1200 V
= 40 A
= 2.5 V
= 380 ns
IXGH 20N120
IXGT 20N120
GD
S
G
E
C (TAB)
Preliminary Data Sheet
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGH20N30 | HiPerFAST IGBT |
| IXGH20N60 | Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
| IXGH20N60A | Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
| IXGH20N60B | HiPerFAST IGBT |
| IXGH22N50BU1 | HiPerFAST IGBT with Diode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXGT20N120B | 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 3.4 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGT20N120BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 3.4 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGT20N140C3H1 | 功能描述:IGBT 模塊 40khz C-IGBT w/Diode Power Device RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| IXGT20N60B | 功能描述:IGBT 40A 600V TO-268 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:HiPerFAST™ 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IXGT20N60BD1 | 功能描述:IGBT 40A 600V TO-268 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:HiPerFAST™ 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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