- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361013 > IXLN35N120A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 40A I(C) | SOT-227B PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IXLN35N120A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 40A I(C) | SOT-227B |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展| 40A條一（c）|的SOT - 227B章 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | IXLN35N120A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXLN35N120AU1 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 40A I(C) |
| IXLN50N120A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 80A I(C) | SOT-227B |
| IXLZ10N100 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 10A I(D) | Z-PAC |
| IXLZ11N100 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 11A I(D) | Z-PAC |
| IXTH12N45MA | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247(5) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXLV19N250A | 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXM5414E 860135 | 制造商:Intel 功能描述:INTEL DESIGNED GIGABIT ETHERNET SWITCH - Boxed Product (Development Kits) |
| IXMS150PSI | 功能描述:IC REG CTRLR PWM 24-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 系列:- 標準包裝:4,000 系列:- PWM 型:電壓模式 輸出數:1 頻率 - 最大:1.5MHz 占空比:66.7% 電源電壓:4.75 V ~ 5.25 V 降壓:是 升壓:無 回掃:無 反相:無 倍增器:無 除法器:無 Cuk:無 隔離:無 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:40-VFQFN 裸露焊盤 包裝:帶卷 (TR) |
| IXO + ANGLE ADAPTER | 制造商:BOSCH 功能描述:SCREWDRIVER CDLESS 3.6V LI-IO |
| IXO 4 SET | 制造商:Bosch 功能描述: |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。