- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361015 > IXSH24N60U1S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-263VAR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IXSH24N60U1S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-263VAR |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 48A條一（c）|至263VAR |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 200K |
| 代理商： | IXSH24N60U1S |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSM20N60 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE |
| IXSM20N60A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE |
| IXSH35N100 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247AD |
| IXSH35N135A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.35KV V(BR)CES | 70A I(C) | TO-247AD |
| IXSM35N100 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 35A I(C) | TO-204AE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXSH25N100 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT |
| IXSH25N100A | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT |
| IXSH25N120A | 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 1200V 4.0 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSH25N120AU1 | 功能描述:IGBT 晶體管 S-SERIE MED SPD IGBT FREEWHEELING 200V50A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSH30N60 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。