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參數資料
| 型號： | IXSN51N60AU1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展|第53A條（c）的|的SOT - 227B章 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 225K |
| 代理商： | IXSN51N60AU1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSN55N100U1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 61A I(C) | SOT-227B |
| IXSN55N120U1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 83A I(C) | SOT-227B |
| IXTE25N20X4U | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) |
| IXTE7C65X4U | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 650V V(BR)DSS | 7A I(D) |
| IXTE8C60X4U | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)DSS | 8A I(D) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXSN52N60AU1 | 功能描述:IGBT 晶體管 80 Amps 600V 3.0 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSN55N100U1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 61A I(C) | SOT-227B |
| IXSN55N120 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT |
| IXSN55N120A | 功能描述:IGBT 晶體管 80 Amps 1200V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSN55N120AU1 | 功能描述:IGBT 晶體管 110 Amps 1200V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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