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參數資料
| 型號： | IXSX50N60BU1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247VAR |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 75A條一（c）|至247VAR |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 351K |
| 代理商： | IXSX50N60BU1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSN30N100AU1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 34A I(C) | SOT-227B |
| IXSN35N100AU1 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 80A I(C) |
| IXSN40N60AU1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 45A I(C) | SOT-227B |
| IXSN50N100AU1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B |
| IXSN50N120AU1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | SOT-227B |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXSX80N60B | 功能描述:IGBT 晶體管 80 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXT-1-1N100S1 | 功能描述:MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXT-1-1N100S1 T/R | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IXT Series Single N-Channel 1000 V 1.5 A Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 |
| IXT-1-1N100S1-TR | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IXTA02N250 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263 |
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