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參數資料
型號: IXTA08N50D2
廠商: IXYS
文件頁數: 1/5頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK
標準包裝: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 耗盡模式
漏極至源極電壓(Vdss): 500V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 800mA
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.6 歐姆 @ 400mA,0V
閘電荷(Qg) @ Vgs: 12.7nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 312pF @ 25V
功率 - 最大: 60W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝: TO-263AA
包裝: 管件
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