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參數(shù)資料
型號: IXTA1R4N120P
廠商: IXYS
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
系列: Polar™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 1200V(1.2kV)
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1.4A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 13 歐姆 @ 500mA,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 24.8nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 666pF @ 25V
功率 - 最大: 86W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-263
包裝: 管件
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