| 型號： | IXTA1R6N100D2 |
| 廠商： | IXYS |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK |
| 標準包裝： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 耗盡模式 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 歐姆 @ 800mA，0V |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 645pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應商設備封裝： | TO-263AA |
| 包裝： | 管件 |