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參數(shù)資料
型號: IXTA1R6N50D2
廠商: IXYS
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 500V 1.6A D2PAK
標準包裝: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 耗盡模式
漏極至源極電壓(Vdss): 500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1.6A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.3 歐姆 @ 800mA,0V
閘電荷(Qg) @ Vgs: 23.7nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 645pF @ 25V
功率 - 最大: 100W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-4,D²Pak(3 引線+接片),TO-263AA
供應商設備封裝: TO-263AA
包裝: 管件
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